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激光器用蓝宝石晶体

HEM  Ti:Sapphire 激光光学元件以其高质量而闻名,世界顶级超快激光实验室需求量大

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HEM Ti:Sapphire

晶体用于超快激光器

Sapphire-78

HEM  Ti:Sapphire 激光光学元件以其高质量而闻名,世界顶级超快激光实验室需求量大

Crystal Systems专有的HEM®技术生产的晶体结构优越,直径可达220mm。采用HEM® Ti:Sapphire晶体制造的超快激光光学元件的传输波前值为1/10或更好,FOM值高达1000。 在Crystal Systems的光学加工设施中,采用低损伤的HEM® Ti:Sapphire激光材料进行加工,具有极高的几何形状和晶体对准度。我们使用专门的测试和测量设备验证了晶体质量和光学加工工艺的所有方面。我们提供有关HEM® Ti:Sapphire激光光学元件的激光、光学和机械属性的详细质量报告。 Crystal Systems已与国际高强度激光专家社区合作,开发了当前的HEM:Ti Sapphire超快激光光学元件系列。我们自豪地提供200mm和220mm的HEM® Ti:Sapphire激光光学元件,以支持当今领先的高强度激光设施。

主要特点/优势:HEM Ti:Sapphire

  • 直径220mm 
  • 优异的均匀性 
  • 卓越的热性能 
  • 高的优良参数(FOM) 
  • 无体材料散射 
  • 高激光损伤阈值 
  • 提供大尺寸和高掺杂材料 
  • 532nm处的Alpha值为0.5-8.0/cm

产品应用:

FOM

特性

FOM (优良参数) 与吸收 - HEM®工艺已经被开发出来,以最大程度地提高532nm处的吸收,减少800nm处的寄生吸收,从而提供了行业内最高的FOM值。每个Crystal Systems HEM® Ti:Sapphire晶体都经过实际FOM值测试,这些值被认为是行业内最高的(最高可达1000)

Absorption

HEM® Ti:Sapphire的可调范围 -

HEM® Ti:Sapphire具有广泛的可调范围,从650nm到1200nm,峰值强度约在800纳米处。材料的宽带宽允许短脉冲和高重复频率。我们的Ti:Sapphire激光光学元件提供一系列不同钛掺杂浓度(从0.5到8.0 @ alpha 532nm),允许调整整体光程设计以满足您的总低功率单程吸收(LPSP)需求。

TiSapphire Brewster Cut Laser Crystal

吸收/荧光 -

Ti:Sapphire激光器通常使用π极化操作。此图显示了HEM® Ti:Sapphire在π极化下的吸收和荧光带。 布鲁斯特角激光晶体 - 我们大多数较小的晶体都是用布鲁斯特角端面抛光,以最小化反射损失。布鲁斯特角是基于材料的折射率。Ti:Sapphire的折射率约为1.76,导致布鲁斯特角约为60.4°。我们的C轴旋转精度受到严格控制,以避免激光调制。

TiSapphireRod

先进的激光抛光和高损伤涂层 -

Crystal Systems将最先进的抛光技术应用于其高功率激光光学元件,以创建亚米级粗糙度和低亚表面损伤。我们进行测试以确保高和可重复的激光损伤阈值数值。

Reflection

抗反射涂层 -

Crystal Systems提供用于多程放大器晶体的先进抗反射涂层。我们的涂层被设计用于在抽运和激光波长处提供最大效率。这些抗反射涂层在实际应用中表现出色,具有持续高激光损伤阈值结果,使激光操作者能够准确计算抽运功率,从而在低风险的情况下最大化功率输出。

特点

高质量的HEM® Ti:Sapphire激光晶体始于完美的晶体结构和正确的3+价电子状态。我们通过多级严格的检验过程来确保这些要求,使用最先进的测试和测量设备。我们测试我们的棒子的吸收值、均匀性、光散射、FOM、平整度和透射波前。每个HEM® Ti:Sapphire激光棒都经过检查和验证,利用先进的设备和专业的激光技术人员。对质量和准确性的全面关注保证了我们的激光晶体的尺寸、表面和晶体结构为您的激光平台的高功率水平和优秀的光束配置提供了坚实的基础。

应用

HEM® Ti:Sapphire的广泛发射范围(650 nm至1200 nm)、高功率密度泵浦能力以及出色的热性能使今天的高强度激光平台成为可能。这些设施正在创造下一代基于激光的应用,如质子治疗、加速器物理学、核物理学、远场物理学、红外光谱学和材料表征。Crystal Systems与其客户密切合作,开发新的晶体设计,以便超快激光社区可以继续提高其产品的可靠性和性能。

TiSapphire_ApplificationLaserCrystal

Ti:Sapphire抗反射涂层的激光损伤阈值测试

以下的测试结果来自Crystal Systems对用于HEM® Ti:Sapphire放大晶体的AR涂层进行的定期测试之一。这些结果代表了可以预期的损伤阈值。

测试样品

  • 测试类型:激光损伤阈值
  • 基板材料:HEM Ti:Sapphire
  • 样品尺寸:1英寸直径

涂层类型:AR(抗反射涂层)

测试条件

  • 测试波长:532 nm
  • 入射角度:0º
  • 脉冲重复频率:10 Hz
  • 偏振:线性
  • 测试光束剖面:TEM,脉冲宽度(FWHM):10 ns,轴向模式:多个S
  • 凹坑直径:570 µm
  • 测试站点数量:80
  • 测试方法:激光损伤频率
  • 曝光持续时间:每站200次激光脉冲

测试结果

  • 损伤定义:等离子体,增加的He-Ne散射,可见损伤,通过使用100倍Nomarski亮场显微镜观察。
  • 结果描述:在10个站点中,部分辐照在13.00 Jcm-2时没有损伤。
  • 激光损伤阈值:峰值光强计算为14.16 Jcm-2