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产品描述
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标准和紧凑的选项 非常适合较低电压下的Q开关和脉冲选取 |
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与半波电压取决于长宽比（电极之间）的横向模式普克尔斯盒不同，纵向场盒的半波电压对于给定波长是固定的，并且仅随盒几何形状而微弱变化。这导致大多数应用的运行电压非常高（例如，1064nm 的电压> 6kV）。显然，一种解决方案是使用横模器件，对于某些应用来说这是合适的。然而，在许多情况下，只有纵向场器件才能提供正确的光学性能（特别是在需要更高消光比的情况下）。解决方案是结合两个普克尔斯盒，当由公共电压源驱动时，每个盒提供一半的总旋转。这种方法的逻辑结论是将两种晶体组合在一个封装中。这减少了损耗、整体尺寸、元件数量以及对准和设置时间（这将成为制造商的工作！）。结果是复合器件以大约两倍的负载电容为代价将所需的驱动电压减半。 与我们所有其他纵向普克尔斯盒一样，它们可以采用一个、两个或四个端子配置（如上图所示）提供，并且可以提供填充晶体和窗口之间空间的折射率匹配流体（首选）或干燥，晶体上有或没有抗反射涂层。如果需要控制多次反射引起的干扰效应，可以指定倾斜窗口和/或楔形晶体（后者可能会收取少量费用）。 我们可以生产任何孔径尺寸的两个晶体普克尔盒，甚至可达 25 毫米，尽管 8 毫米、10 毫米和 12 毫米是最常见的。我们还在紧凑型普克尔斯盒系列中制造两种晶体器件，以及单晶和双晶版本的超快普克尔斯盒 (UPC)。如果您有任何特殊要求，但您在此处看到的内容无法满足，请联系我们。 |
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主要特点/优势：双晶 KD*P 普克尔盒 |
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规格参数 |
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产品应用： |
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